我院师生受邀参加第18届国际晶体生长与外延会议并作工作汇报
【 发布日期：2016-09-26 | 点击： 】
8月7日-8月12日，第18届国际晶体生长与外延会议（ICCGE-18）在日本名古屋召开。本次会议以“基于创新型晶体生长的基础研究”为主题，吸引了来自全世界数千名晶体材料研究者和数名诺贝尔奖获得者，2014年诺贝尔物理学奖获得者赤崎勇受邀作了全体报告。
我校特聘教授材料物理教研室赵洪阳老师受邀参加了此次会议，并作了题为“A novel class of multiferroic single crystals: Bi4Ti3O12·nBiFeO3”的报告，我院2015级材料物理与化学专业研究生蔡康、黄志登也参与了本次会议并分别作了题为“Ferroelctric and domain characterization of K0.5Bi4.5Ti4O15 crystal”，“ Multiferroic properties of a series of the n=4 Aurivillius-phase single crystal: Bi5Ti3MO15(M= Cu, V, Ni, Mn)”的报告。
国际晶体生长会议由国际晶体生长组织（International Organization for Crystal Growth）主办，会议每3年举办一次。会议内容包括：晶体生长理论；晶体硅与光伏材料；窄禁带与化合物半导体材料； III-V族与宽禁带半导体的晶体生长； 薄膜与晶体外延生长；激光与非线性光学晶体生长；闪烁、铁电、压电和多功能晶体的生长；热电、磁-电晶体材料；新型晶体材料与生长新技术；其它材料的单晶 生长技术；工业晶体生长；有机与生物结晶；光子与声子晶体与理论；纳米晶体材料等。
